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HSI1926DLT1E3
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计有0.1A的连续排水电流（ID），并能承受高达60V的断态电压（VDSS）。其特征还包括在20V栅源电压（VGS）下的导通电阻（RDSON）为1300毫欧。该MOSFET适用于低电流需求的应用场景，如消费电子产品的电池保护电路、便携装置中的负载开关或信号调节等，能够在小电流环境下提供可靠的性能。
- 商品型号
- HSI1926DLT1E3
- 商品编号
- C42401292
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |