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HSSM6N7002CFULF
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID）能力，在60V的最大漏源电压（VDSS）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并在±20V的栅源电压（VGS）范围内操作。此MOSFET适用于多种电路设计场合，如消费电子产品中的电源管理、信号开关以及低功耗应用中作为高效能的电子开关或放大器元件。其紧凑的设计和良好的热性能使其成为便携式设备的理想选择。
- 商品型号
- HSSM6N7002CFULF
- 商品编号
- C42401293
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HSSM6N7002CFULF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机