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HBSD235CH6327
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 该款场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有0.8A的最大漏极电流（ID），可在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下正常运作。其导通状态下的漏源电阻（RDSON）低至0.32Ω（320毫欧），适用于要求效率与精度的应用场景。在栅源电压（VGS）不超过±12V的情况下，此MOSFET可以作为电子开关或放大器，在各种消费电子产品中实现精准的电流控制及电源管理功能。其特性使得它非常适合用于电池供电设备及对尺寸和能耗有严格要求的小型装置中。
- 商品型号
- HBSD235CH6327
- 商品编号
- C42401294
- 商品封装
- SOT-363(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HBSD235CH6327采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 380 mΩ
- VDS = -20V,ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 570 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机