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HDMG3406L7
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），并在断态下能够承受最高30V的电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能有效降低功耗。此MOSFET适用于便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关应用，能够提供高效的性能表现。
- 商品型号
- HDMG3406L7
- 商品编号
- C42401290
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HDMG3406L7采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并支持低至2.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源