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HFDN86501LZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID），以及60V的最大断态电压（VDSS），适用于多种电子设备中作为高效能开关或放大器。其导通电阻（RDSON）为72毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下可确保低损耗特性。该MOSFET适合用于个人电子产品、家用电器等领域的电源管理与信号处理环节。
- 商品型号
- HFDN86501LZ
- 商品编号
- C42401291
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HFDN86501LZ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源