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HSI2302ADST1
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备2.3A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V，导通电阻仅为48毫欧姆，确保了低功耗和高效率。其栅源电压范围可达12V，适用于需要精确控制电流的各种电子电路中。此MOSFET因其良好的热稳定性和快速开关特性，在消费电子、家用电器等领域有着广泛的应用前景，是实现高效电源管理和信号控制的理想选择。
- 商品型号
- HSI2302ADST1
- 商品编号
- C42401288
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HHUF76429D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 30 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 26 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源