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HDMN6040SK3Q13
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续导通电流（ID/A），最大可承受60V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下表现优异。该MOSFET适用于多种电子设备中的电源转换及保护电路，如便携式设备充电管理、LED照明驱动等，能有效提升系统的整体性能，并确保在高负载条件下的稳定性。其低导通电阻有助于减少热损耗，适合用于需要高效能和可靠性的设计方案中。
- 商品型号
- HDMN6040SK3Q13
- 商品编号
- C42401286
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HDMN6040SK3Q13采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源