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HDMN63D1LW7
耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有0.1A的最大电流（ID）通过能力，可在高达60V的漏源电压（VDSS）下安全操作。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下可以有效导通。该MOSFET适用于需要精细电流控制的应用场景，例如在智能家居系统或个人电子装置内的信号放大及保护电路中，能够发挥其高精度与可靠性的特点。
- 商品型号
- HDMN63D1LW7
- 商品编号
- C42401281
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HDMN63D1LW7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 0.115A
- RDS(ON) < 3Ω(VGS = 10V时)
- ESD等级:HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源