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HTK20S06K3LT6L1NQ
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续导通电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在20V的栅极驱动电压（VGS/V）下表现出色。该MOSFET适用于各种消费电子产品中的电源管理与信号开关应用，能有效降低能耗并提高电路效率。其出色的电气特性使其成为设计紧凑高效电路的理想选择。
- 商品型号
- HTK20S06K3LT6L1NQ
- 商品编号
- C42401285
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HTK20S06K3LT6L1NQ采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源