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HAOSP21307
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 该场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其最大工作电流（ID/A）可达12A，承受的最大漏源电压（VDSS/V）为30V。导通电阻（RDSON/mR）低至10毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）达到20V时能有效导通。此MOSFET适用于要求高效率及低能耗的应用场景中，如便携式电子产品中的电源管理电路、消费类电子产品的开关电路以及通用型稳压器等。其特性使得它能够帮助设计者实现更稳定的电流控制与转换效率。
- 商品型号
- HAOSP21307
- 商品编号
- C42401282
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@6A | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
HSI2302ADST1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源