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HTK7A65DSTA4QM
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续电流能力（ID），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为860毫欧，在30V的栅源电压（VGS）下工作时，可有效控制高电压条件下的电流流动。该MOSFET适合用于高电压要求的消费电子产品中，如适配器、充电器以及家用电器的电源管理系统，为这些应用提供了可靠的开关性能和电压保护功能。
- 商品型号
- HTK7A65DSTA4QM
- 商品编号
- C42401284
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.537克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.642nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
优惠活动
购买数量
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