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HNP32N055SLE
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大漏极电流ID，能够支持较高功率的应用场景。其最大漏源电压VDSS达到60伏特，适用于多种工作环境下的电路设计。该器件的导通电阻仅为22毫欧姆，确保了低功耗和高效运行。栅源电压VGS在±20伏特范围内工作，使得它成为需要良好热性能与可靠性的电子设备的理想选择，如电源管理、消费电子产品等。
- 商品型号
- HNP32N055SLE
- 商品编号
- C42401283
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HAM6968N是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该器件符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 6A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 27mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 37mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源