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HRQ3E150GNTB
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有高达100A的连续漏极电流（ID），适用于大电流需求的电路设计。其最大工作电压（VDSS）为30V，适合多种低压应用场合。导通电阻（RDSON）仅为4毫欧，能够显著降低能耗，提升系统的整体效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，保证了良好的驱动兼容性和控制精度。这些特性使其成为开关电源、电机控制及高功率密度转换解决方案中的关键元件。
- 商品型号
- HRQ3E150GNTB
- 商品编号
- C42401278
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059799克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HFDD050N03B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 100 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源