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HAOT10N65
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达650V，导通电阻RDON为860mΩ，栅源电压VGS为30V。该器件具备较高的耐压能力和稳定的开关特性，适合对功率控制要求较高的电路环境。适用于电源转换、电机驱动、高电压功率开关以及各类消费类电子设备中的功率管理模块，可为系统提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基础半导体元件。
- 商品型号
- HAOT10N65
- 商品编号
- C42401279
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.585859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品概述
HAOT10N65可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220,符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 10 A
- RDS(ON) < 1.05Ω @ VGS = 10V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。