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HSTD36P4LLF6
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID），适用于要求严苛的大电流应用环境。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下可靠的工作性能。导通电阻（RDSON）仅为10毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，提供了宽泛的操作范围，便于设计灵活性。这些特性使得它成为高性能电源管理和逆变电路的理想选择。
- 商品型号
- HSTD36P4LLF6
- 商品编号
- C42401277
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
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