温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSTD36P4LLF6
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID），适用于要求严苛的大电流应用环境。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下可靠的工作性能。导通电阻（RDSON）仅为10毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，提供了宽泛的操作范围，便于设计灵活性。这些特性使得它成为高性能电源管理和逆变电路的理想选择。
- 商品型号
- HSTD36P4LLF6
- 商品编号
- C42401277
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSTD36P4LLF6采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 40V,漏极电流ID = - 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源