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HIPD06P004N
P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此P沟道场效应管(MOSFET)具有稳定的电气性能，支持最大连续漏极电流ID达20A，适用于需要较高负载能力的场景。其漏源电压VDSS为60V，提供足够的过压保护空间。导通电阻RDON为64mΩ，有助于减少能量损耗，提升效率。栅源电压VGS上限至20V，确保了与多种驱动电路的良好匹配性。该MOSFET适合应用于消费电子、智能家居等领域的开关控制及电源管理，能够有效增强系统稳定性和能效表现。
- 商品型号
- HIPD06P004N
- 商品编号
- C42401275
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.426263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
HIPD06P004N采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V,漏极电流ID = -20 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 72 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理