温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSTD10P6F6
P沟道 耐压:60V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有10A的连续排水电流（ID），并能承受高达60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为125毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下工作。该MOSFET适用于消费电子产品的电源路径控制，例如在电池供电设备中作为开关或在数字设备中用于电压调节，其稳定的性能有助于保障设备的可靠运行。
- 商品型号
- HSTD10P6F6
- 商品编号
- C42401276
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |