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HFDD050N03B
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）提供100A的最大连续漏极电流，可承受30V的最大漏源电压，适合于需要高电流密度的应用场景。其导通电阻低至3.8毫欧，有助于减少工作时的热损失，提高能源效率。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。它适用于电源供应、电池管理和信号放大等多种电路设计中，是实现高效能、低损耗操作的理想选择。
- 商品型号
- HFDD050N03B
- 商品编号
- C42401274
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HFDD050N03B采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 100 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源