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HN0400PZKE1AY
1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 该P沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性，其最大连续漏极电流ID为25A，能够支持较大负载。漏源电压VDSS达到40V，保证了在较高电压应用中的可靠性。导通电阻RDON仅为31mΩ，有效降低了开关损耗和热产生，提高系统效率。栅源电压VGS范围至25V，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET适合应用于需要高效能、低功耗转换的场合，例如消费电子产品中的电源管理电路或家用电器内的控制模块，以实现更加紧凑且节能的设计方案。
- 商品型号
- HN0400PZKE1AY
- 商品编号
- C42401273
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392929克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HN0400PZKE1AY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V,ID = -25A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 44 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源