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HAM6968N
N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的最大连续漏极电流，适用于中等功率需求的电路设计。其漏源电压为20V，能够满足多数消费电子及家用电器中的低压应用要求。该器件拥有21mΩ的低导通电阻，有助于减少能量损耗并提高系统效率。栅源电压范围为12V，确保了良好的控制特性和驱动能力。此款MOSFET适合需要高效开关性能和紧凑布局的应用场景，如电源管理、信号转换等领域。
- 商品型号
- HAM6968N
- 商品编号
- C42401272
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069697克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HAM6968N是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。该器件符合RoHS标准和产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 6A
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 27mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 37mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源