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HSi4435BDY
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的性能参数，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流可达11A，确保了良好的负载驱动能力；漏源电压为30V，提供了足够的电压承受范围以适应不同电路需求。该器件的导通电阻仅为13mΩ，有助于减少能量损耗并提高效率。此外，它支持高达20V的栅源电压，允许更宽泛的设计灵活性。此款MOSFET特别适合要求高效率、低功耗及紧凑设计的应用场合，是构建高效开关电路的理想选择。
- 商品型号
- HSi4435BDY
- 商品编号
- C42401271
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSi4435BDY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -11A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET