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HIRF7240TRPBF
耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 该款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其最大漏源电流（ID/A）可达13A，在保证安全使用的前提下，能承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。在导通状态下，其导通电阻（RDSON/mR）仅为14毫欧，有助于减少能量损耗。此MOSFET要求栅源电压（VGS/V）范围为±20V，以确保正常操作。适用于多种电路设计中作为开关或放大元件使用。
- 商品型号
- HIRF7240TRPBF
- 商品编号
- C42401270
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HIRF7240TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V,ID = - 13A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源