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HNTR3A085PZ
耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有良好的电气特性，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流ID为4.2A，能够满足一般应用场景的需求；漏源电压VDSS为20V，确保了在一定工作电压范围内的稳定性。该MOSFET的导通电阻RDON为48mΩ，有助于维持电路效率并减少不必要的能量损失；栅源电压VGS支持至12V，提供了足够的驱动能力以实现有效的开关控制。这些特点使其成为消费电子产品、小型电源管理和信号处理等应用的理想选择。
- 商品型号
- HNTR3A085PZ
- 商品编号
- C42401269
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNTR3A085PZ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.2A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON)为55 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON)为75 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET