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HNTR3A052PZT1G
P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的最大漏极电流（ID），并能承受最高20V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）在12V的栅源电压（VGS）条件下为35毫欧。该MOSFET适用于需要精确电流控制的应用，例如在消费电子产品中作为逻辑电平开关或在便携式装置中实现电源路径管理，确保了电路的稳定性和能效。
- 商品型号
- HNTR3A052PZT1G
- 商品编号
- C42401268
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HNTR3A052PZT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 20V,ID = - 5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理