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HRJK03M4DPA
N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续漏极电流，支持最高30V的漏源电压，适用于要求高电流承载能力的电路。其极低的导通电阻仅3.5毫欧，显著减少了发热，提高了系统的整体效率。配合±20V的栅源电压，保证了广泛的驱动兼容性和稳定性。该元件适合应用于需要快速开关响应和低损耗的场合，例如电源转换、电池管理及电子负载控制等领域。
- 商品型号
- HRJK03M4DPA
- 商品编号
- C42401267
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
HRJK03M4DPA采用先进的沟槽技术，提供优异的R_DS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V_DS = 30V， I_D = 120A
- R_DS(ON) < 2.6mΩ @ V_GS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源