HAONS32304
耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备高达150A的连续排水电流(ID),最大承受电压(VDSS)为30V,其低至2毫欧的导通电阻(RDSON)使得它在高功率密度转换器中表现优异。该MOSFET在栅源电压(VGS)为20V时能有效导通,适用于需要大电流和快速开关特性的应用,例如高性能计算设备的电源供应单元、智能家电内部的功率调节模块或是电子游戏机中的能量管理电路等。其高效的电力传输能力有助于提升整体系统的能效比。
- 商品型号
- HAONS32304
- 商品编号
- C42401266
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
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