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HDMN63D1LT7
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并且能在±20V的范围内承受栅源电压（VGS）。此MOSFET适用于设计要求低功耗及高效率的便携式电子产品中，如在电源管理电路、消费类电子产品的小型开关模式电源以及电池保护电路中作为开关元件使用。
- 商品型号
- HDMN63D1LT7
- 商品编号
- C42401232
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HDMN63D1LT7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 2.5 V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为主保护开关或用于其他开关应用。
商品特性
- V D S = 60V,I D = 0.115A
- R D S (ON) < 3 Ω(V G S = 10V 时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源