HLBSS138LT1G
HLBSS138LT1G
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- 描述
- 这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有0.2A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为1100mΩ，适合低功率应用。栅源电压范围达到20V，确保了与多种控制电路的良好兼容性。适用于小型电子设备、便携式装置以及需要精确控制的小信号处理场景中，是追求稳定性和可靠性的理想选择。
- 商品型号
- HLBSS138LT1G
- 商品编号
- C42401252
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HLBSS138LT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V
- ID = 0.22 A
- RDS(ON) < 2.0 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源