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HDMP2240UW7
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备1.8A的最大导通电流（ID），并能在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下正常工作。其导通电阻（RDSON）为120毫欧，在确保低损耗的同时提供了稳定的电流控制。该MOSFET支持±8V的栅源电压（VGS），增强了在复杂电路中的适应性。适用于要求精确电流调节及保护的应用，例如在消费电子产品的负载开关、电池管理电路或便携式设备中作为电子开关使用。
- 商品型号
- HDMP2240UW7
- 商品编号
- C42401255
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
HDMP2240UW7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -1.8A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源