温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HNTR3C21NZT1G
耐压:20V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6.5A的最大漏极电流（ID），能够在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下稳定操作。其导通电阻（RDSON）仅为14毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下展现出色性能。该MOSFET适用于多种电子设备中的开关应用，例如在个人电子产品中的电源路径管理、电池供电装置内的切换开关，以及小型化的DC-DC转换器中作为高效能的功率级元件使用，确保了电流传输的效率与系统的可靠性。
- 商品型号
- HNTR3C21NZT1G
- 商品编号
- C42401257
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNTR3C21NZT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 6.5 A
- 当栅源极电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
- 静电放电ESD = 2500 HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源