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HIRLR3717PbF
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源极击穿电压（VDSS），适合用于需要大电流处理能力的电路。其低至3.5毫欧的导通电阻（RDON）有助于降低功耗，提高系统效率。12V的栅源极电压（VGS）确保了其易于与其他低电压电路集成。此款MOSFET适用于电源转换、负载开关、电池保护等应用领域，能够在要求苛刻的环境中提供可靠的性能表现。
- 商品型号
- HIRLR3717PbF
- 商品编号
- C42401264
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HIRLR3717Pb采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V \quad ID = 80 A
- RDS(ON)< 5 m Ω@ VGS=4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源