温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSI4925DDYT1GE3
P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款P+P沟道场效应管(MOSFET)设计用于需要高效能和可靠性的电子电路中，支持的最大连续漏极电流为11A，能够承受最高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为14mΩ，有助于降低能耗并减少工作时产生的热量。栅源电压范围达到20V，适用于要求精确控制与快速响应的应用场合，如消费电子产品中的电源管理和信号处理等领域。凭借其优秀的电气特性和紧凑的封装形式，该MOSFET成为众多便携式及家用电器内部电路的理想选择。
- 商品型号
- HSI4925DDYT1GE3
- 商品编号
- C42401261
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
HSI4925DDYT1GE3采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -8.5A
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 18mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 28mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOP - 8封装
- 双P沟道MOSFET