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HDMC4047LSD13
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）为N+P沟道设计，其连续排水电流（ID/A）为5A，最高工作电压（VDSS/V）可达60V。在栅源电压（VGS/V）为20V的情况下，此MOSFET的导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆。这些特性使其适合用于多种电子设备中，例如在电源适配器中作为开关元件，或者在便携式电子产品的电池管理系统中实现电流控制功能。此外，它也可以应用于需要稳定电流控制与高效率能量转换的场合，帮助提升设备性能并降低能耗。
- 商品型号
- HDMC4047LSD13
- 商品编号
- C42401263
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.137nF |
商品概述
HDMC4047LSD13采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 5A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 70mΩ
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -4A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机