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HFDS3890
N沟道+P沟道 60V 6.5A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的VDSS额定电压，适用于需要较高耐压性的电路设计。它能够在室温下提供高达6.5A的连续漏极电流ID，适合于大电流应用场合。导通电阻RDSON仅为32毫欧，有效地降低了导通状态下的功耗，提高了整体效率。栅源电压VGS的最大值为20V，保证了良好的控制特性。此MOSFET适用于消费类电子产品的电源管理、电池保护以及DC/DC转换器等应用场景中。
- 商品型号
- HFDS3890
- 商品编号
- C42401260
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
HFDS3890采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 60V,I D = 6.5A
- 在 V G S = 10V 时,R D S (ON) < 36mΩ
- 在 V G S = 4.5V 时,R D S (ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源