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HSTS5P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的最大工作电压VDSS，适用于需要稳健电压处理的设计。其连续漏极电流ID为5.8A，在常温下能够支持较高电流的应用。导通电阻RDSON仅为43毫欧，有助于提高效率并减少发热。栅源电压VGS的绝对值可达20V，提供稳定的驱动能力。该MOSFET适用于日常电子设备中的负载开关、电源稳压以及逆变电路等领域。
- 商品型号
- HSTS5P3LLH6
- 商品编号
- C42401259
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
HSTS5P3LLH6采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -5.8 A
- RDS(ON) < 55 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源