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HFTK6911
P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管(MOSFET)支持2A的连续漏极电流，拥有高达60V的漏源电压耐受能力。其导通电阻为140毫欧姆，能够有效控制在工作状态下的能量损耗。该器件的工作栅源电压范围可达20V，确保了良好的驱动兼容性和稳定性。适用于需要精确控制电流和电压的应用场景，比如电源管理电路、负载切换以及各类便携式设备中，以实现高效的电气性能与可靠性。
- 商品型号
- HFTK6911
- 商品编号
- C42401256
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP6P250N采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 60V,漏极电流ID = - 2A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 180mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用