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HFTK6911

P沟道 耐压:60V 电流:2A

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描述
这款P沟道场效应管(MOSFET)支持2A的连续漏极电流,拥有高达60V的漏源电压耐受能力。其导通电阻为140毫欧姆,能够有效控制在工作状态下的能量损耗。该器件的工作栅源电压范围可达20V,确保了良好的驱动兼容性和稳定性。适用于需要精确控制电流和电压的应用场景,比如电源管理电路、负载切换以及各类便携式设备中,以实现高效的电气性能与可靠性。
商品型号
HFTK6911
商品编号
C42401256
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028283克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.4nC@10V
输入电容(Ciss)310pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)22pF

数据手册PDF