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HFDMC4435BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），能够承受较高的工作压力。其导通电阻（RDS(on)）为13毫欧，有助于降低在大电流条件下的能量损失，提升整体效率。该器件支持高达25伏特的栅源电压（VGS），增强了其开关性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能表现的电路设计，如电源管理、信号处理等领域。
- 商品型号
- HFDMC4435BZ
- 商品编号
- C42401253
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058291克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
HFDMC4435BZ采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器