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HAOSP21357

P沟道 耐压:30V 电流:15A

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描述
该款P沟道场效应管(MOSFET)具备15A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源极击穿电压(VDSS),确保了其在高压环境下的稳定性能。其导通电阻(RDON)仅为5.8毫欧,在高电流应用中能够显著减少功率损耗,提高效率。栅源极电压(VGS)的最大值为20V,提供了宽泛的操作范围,便于与多种电路设计兼容。此元件适用于电源管理、信号切换等应用场景,是高性能电子设备的理想选择。
商品型号
HAOSP21357
商品编号
C42401238
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131313克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))8.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.448nF
反向传输电容(Crss)421pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)508pF

商品概述

HAOSP21357采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -15A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 8.7mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF