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HAOSP21357
P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 该款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高压环境下的稳定性能。其导通电阻（RDON）仅为5.8毫欧，在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提高效率。栅源极电压（VGS）的最大值为20V，提供了宽泛的操作范围，便于与多种电路设计兼容。此元件适用于电源管理、信号切换等应用场景，是高性能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HAOSP21357
- 商品编号
- C42401238
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
HAO5800E采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.115A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机