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HNTR5103N
N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源极击穿电压（VDSS），适合应用于需要较高电压耐受能力的电路中。其导通电阻（RDON）为1000毫欧，虽然相对较高，但在低电流条件下仍能有效运作，减少发热。最大栅源极电压（VGS）达到20V，保证了良好的驱动特性和稳定性。此元件适用于各种便携式电子产品中的电源控制、电池管理和信号调理等场合，是实现高效、可靠电路设计的重要组件。
- 商品型号
- HNTR5103N
- 商品编号
- C42401251
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HNTR5103N采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 0.3 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 2 Ω
- 静电放电等级:人体模型(HBM)≥ 2000 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源