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HBSS131H6327XTSA1
耐压:240V 电流:0.1A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备240V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受高达20V的栅源电压（VGS），适用于需要高压处理的应用场景。其最大导通电阻（RDSON）为3毫欧，当栅极电流（ID）为0.1A时，确保了较低的功耗和高效的电力转换性能。该MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如便携式设备的电池保护电路或家用电器的开关电源设计中，有助于提升系统的整体能效。
- 商品型号
- HBSS131H6327XTSA1
- 商品编号
- C42401250
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@56uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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