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HSTL90N10F7
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有75A的连续漏极电流（ID）处理能力，适用于高电流需求的应用场景。其最大漏源电压（VDSS）为100V，表明它可以在较高电压下稳定工作。导通电阻（RDSON）低至7.3毫欧，有助于在大电流通过时保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了在多种控制信号下均能正常开启或关闭。适用于高性能电源转换器、电机驱动以及其他需要高效能量传输的电子设备中。
- 商品型号
- HSTL90N10F7
- 商品编号
- C42401241
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSTL90N10F7采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用