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HDMN63D1LW13
耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具有0.1A的连续排水电流（ID），适用于低功率需求的电路设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，能够有效防止过压损坏。导通状态下的电阻（RDSON）为1300毫欧，适合于对功耗要求不高的应用中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号。该MOSFET特别适用于便携式设备、家用电子装置中的电源管理或信号处理等场景。
- 商品型号
- HDMN63D1LW13
- 商品编号
- C42401245
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |