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HRK7002BMHZG
耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.3A的连续排水电流能力，最大漏源耐压（VDSS）为60V，适用于多种低压直流电路。其导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1000毫欧，表明在导通状态下损耗较低。栅源电压（VGS）最高可达20V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适合用于需要快速开关或精确电流控制的电子装置中。
- 商品型号
- HRK7002BMHZG
- 商品编号
- C42401249
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HRK7002BMHZG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω@ VGS = 10 V
- 静电放电等级:人体模型(HBM)≥ 2000 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源