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HBSS84AKVL
P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流，最大漏源电压（VDSS）为50V，适用于低压应用环境。其导通电阻（RDSON）为2000毫欧，在轻负载条件下可提供稳定的性能表现。栅源电压（VGS）最大为20V，使得该组件易于与其他逻辑电平电路集成。此MOSFET适用于电子设计中需要精确控制电流及电压的应用场合。
- 商品型号
- HBSS84AKVL
- 商品编号
- C42401246
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |