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HSI2319DDST1GE3
耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力和40V的漏源电压耐受值，适用于中低功率应用。其导通电阻为68毫欧姆，在确保电路稳定的同时控制了功耗。栅源电压范围达到20V，使得该器件能够与多种逻辑电平兼容。此类MOSFET非常适合于便携式设备、消费电子产品中的电源管理和信号开关等功能，提供了可靠的性能表现。
- 商品型号
- HSI2319DDST1GE3
- 商品编号
- C42401247
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI2319DDST1GE3采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V, ID = -5 A
- RDS(ON)<85 m Ω@ VGS=-10 V
- RDS(ON)< 120 m Ω@ VGS=-4.5 V
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
- SOT-23
- P沟道MOSFET