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HKMB3D5N40SA
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。
- 商品型号
- HKMB3D5N40SA
- 商品编号
- C42401248
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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