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HFDA28N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备28A的电流处理能力（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为500V，适用于多种高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为150毫欧，在确保电路安全的同时，减少了能量损耗。此MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS），是构建高压直流转换器、便携式设备充电电路及其它需要高压隔离的应用的理想选择，提供了可靠的性能表现。
- 商品型号
- HFDA28N50F
- 商品编号
- C42401243
- 商品封装
- TO-3P(TO-3PN)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.186667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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