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HSI1026XT1GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），适用于精细控制和低功耗应用场合。其最大击穿电压（VDSS）为60V，适用于需要高电压稳定性的设计。导通状态下，此MOSFET展现出了1300毫欧（mΩ）的低导通电阻（RDSON），尽管相对较高，但在微小电流应用中可以忽略其影响。栅源电压（VGS）的最大允许值为20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此款MOSFET适用于精密仪器、智能家居组件或小型电子设备中的开关及信号调节功能。
- 商品型号
- HSI1026XT1GE3
- 商品编号
- C42401244
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |