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HIXFP110N15T2
1个N沟道 耐压:150V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达120A的持续漏极电流和150V的漏源电压，适合在高功率需求的应用中使用。其导通电阻低至9.5毫欧姆，有助于减少能量损耗并提高系统效率。栅源电压阈值为20V，确保了与广泛驱动电路的良好匹配性。凭借这些优异特性，该MOSFET非常适合用于高性能电源转换、高效能开关控制以及需要快速响应时间的电子装置中。
- 商品型号
- HIXFP110N15T2
- 商品编号
- C42401242
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.515455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
HIXFP110N15T2采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V
- 漏极电流ID = 120 A
- 导通电阻RDS(ON) < 11.5 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用