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HSTR2P3LLH6
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备4.2A的漏极电流（ID），适合应用于要求不高且稳定的电流环境中。其最大漏源电压（VDSS）为20V，能够在常见的低压系统中提供可靠的性能。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少工作时的功率损耗。栅源电压（VGS）的最大值为12V，提供了足够的裕量以确保在不同驱动条件下都能安全工作。适用于消费电子产品中的电源开关、电池保护电路以及小型设备中的信号级应用。
- 商品型号
- HSTR2P3LLH6
- 商品编号
- C42401239
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSTR2P3LLH6采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 20V,漏极电流ID = - 4.2A
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON)为55mΩ
- 当栅源电压VGS = - 2.5V时,导通电阻RDS(ON)为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET